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1、化学气相沉积装置及化学气相沉积方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种化学气相沉积系统及方法，该系统包括第一进气口、第二进气口、第一管路分支部及第二管路分支部，第一进气口及第二进气口位于一供气装置上，第一管路分支部提供一气体至第一进气口及或第二进气口，第一管路...
2、化学气相沉积装置及化学气相沉积方法
[简介]： 一种化学气相沉积装置、化学气相沉积方法，所述化学气相沉积装置包括：腔体，设置有进气口，所述进气口用于通入反应气体；射频信号源，位于所述腔体外，用于提供激发等离子体的射频信号；上电极，位于所述腔体内，所述上电极设置...
3、化学气相沉积装置、化学气相沉积方法
[简介]： 本套资料提出一种化学气相沉积反应腔装置，包括：腔室本体，腔室本体内限定有反应腔室；上陪片，上陪片固定在反应腔室内，且上陪片设有至少一个检测通孔；托盘，托盘位于上陪片之下；旋转机构，旋转机构与托盘相连，且旋转机构用于...
4、化学气相沉积反应腔装置及具有其的化学气相沉积设备
[简介]： 本套资料是一种反应器、化学气相沉积反应器以及有机金属化学气相沉积反应器。反应器具有多个独立热库。每一热库可通过加热与冷却的方式，来调整热库温度。第一热库与第二热库面对面相对设置，且两者内侧具有一预定的距离及一预...
5、反应器、化学气相沉积反应器以及有机金属化学气相沉积反应器
[简介]： 一种不需要特定的复杂或昂贵装置也能够感测衬托器表面和晶片表面的温度差异的方法。为了实现此目标，本套资料提供一种化学气相沉积设备，该设备包括：腔室；衬托器，可转动地布置在所述腔室中并且在该衬托器上侧上堆叠晶片；气...
6、化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的温度控制方法
[简介]： 本套资料提供了一种化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备，其安装方法包括步骤：将晶舟安装在基座上，且在所述晶舟一侧设置有投影板；在所述投影板设置参照物；第一光束照射所述晶舟，使所述晶舟投影到所述投影板上形...
7、化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备
[简介]： 本套资料主要内容为一种进气装置，该进气装置可以用于向炉管内通入气体，所述进气装置包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其中，所述主管由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管及连接部分...
8、进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法
[简介]： 本套资料是用于通过化学气相沉积法制造钌薄膜或钌化合物薄膜的有机钌化合物，它是以下式表示的钌上配位了芳烃基和降冰片二烯的有机钌化合物；式中，芳烃基的作为取代基的R1～R6为氢或烷基，R1～R6的碳数的总和R1+R2+R3+R4+R5...
9、化学气相沉积用的有机钌化合物及使用该有机钌化合物的化学气相沉积方法
[简介]： 本套资料涉及一种用于在一个或多个衬底上涂覆涂层的方法，所述涂层的成分以至少两种气体的形式借助于一进气装置输入工艺过程腔室7，其中，所述气体分别被引入所述进气装置的叠置的腔室1，2，并且从那通过连接至所述工艺过...
10、用于在化学气相沉积-反应器中沉积涂层的方法及用于化学气相沉积-反应器的进气装置
[简介]： 本套资料涉及一种氮化钛化学气相沉积设备，包括用于承载硅片的底座以及设置于所述硅片上端的喷头，所述底座的上表面所在的平面与所述喷头的喷射方向之间的夹角为60～89度，还包括驱动部件，所述驱动部件与所述底座连接，驱动所...
11、氮化钛化学气相沉积设备
[简介]： 本套资料涉及一种低温条件下制备石墨烯薄膜的方法，所述方法至少包括以下步骤：（1）对金属衬底进行平整处理；（2）对步骤（1）得到的金属衬底的表面进行化学试剂掺杂；（3）在保护气氛下，将步骤（2）得到的金属衬底进行退火处理；（4）将...
12、一种低温化学气相沉积生长石墨烯薄膜的方法
[简介]： 本套资料一种多晶金刚石磨料及化学气相沉积（CVD）制作方法，属于超硬材料技术领域。采用化学气相沉积的方法，在金刚石微粉的表面快速生长出含有较多石墨成分的微米或纳米级多晶金刚石；以及以板状的钼、钨、石墨、硅等为基体，快...
13、一种多晶金刚石磨料及化学气相沉积（CVD）制作方法
[简介]： 本套资料公开的单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法，以使用微机械力将石墨用胶带撕裂出的单晶石墨烯黏贴到Si或SiSiO2复合层再转移至金属基底上，作为单晶石墨烯籽晶层；通过化学气相沉积法，先通入还原性气体，去除基底上金属...
14、一种单晶石墨烯的化学气相沉积制备方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法，主要包括在一定温度下利用还原性气体和惰性气体的氛围，调节碳源气体的流量和反应腔的压强，在金属基底表面生长双层石墨烯薄膜。该方法避免了现有技术中的有*有害的还...
15、一种制备双层石墨烯的化学气相沉积方法
[简介]：本技术主要内容为一种制备纳米薄膜的化学气相沉积设备，所述设备包括沉积室以及与所述沉积室相连的供气装置和抽真空装置，所述沉积室上设有多个进气口，各个进气口通过角阀与所述供气装置连通，其中，所述沉积室包括：下部腔...
16、一种制备纳米薄膜的化学气相沉积设备
[简介]：本技术主要内容为一种安全性智能控制化学气相沉积CVD装置，包括有氢气发生器电控装置、氢气报警器探头和氢气报警控制器，所述氢气报警控制器与氢气发生器电控装置并联连接；本实用新型设计合理，结构简单，氢气报警控制器会...
17、一种安全性智能控制化学气相沉积CVD装置
[简介]： 本套资料属于半导体材料制备领域，具体涉及一种石墨烯条带的低温化学气相沉积制备方法。本套资料的步骤是首先对铜箔进行电解抛光，然后将铜箔放入石英管反应器内，在氢气条件下进行退火，然后于500~580℃，同时调节氢气的流速为2...
18、一种石墨烯条带的低温化学气相沉积制备方法
[简介]：本技术提出一种化学气相沉积设备包括：反应腔室；加热器，设置于所述反应腔室内的底部；引线，所述引线穿过所述反应腔室的底部并且接地；射频带条，一端与所述加热器相固定，另一端通过第一螺丝和第一垫片与所述引线相固定...
19、化学气相沉积设备
[简介]： 一种用于化学气相沉积炉的活接头导气工装，包括活接头、连接管Ⅰ、连接管Ⅱ，所述连接管Ⅰ、连接管Ⅱ与活接头通过焊接固定或通过螺纹连接固定，连接管Ⅰ端部与设于化学气相沉积炉上配气环相连接。本实用新型加工制造容易，安装拆卸...
20、一种用于化学气相沉积炉的活接头导气工装
[简介]： 本套资料主要内容为一种化学气相沉积固态前驱体连续供给系统，由真空室、真空机组、化学尾气吸附器、化学尾气处理器组成；真空隔离室位于真空室的上部坩埚与发热体嵌入在真空室内真空室外壁有进气口与可控固态前驱体挥发装置相...
21、化学气相沉积设备的控制系统
22、化学气相沉积设备的控制系统
23、一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法
24、加热装置及化学气相沉积设备
25、化学气相沉积设备
26、化学气相沉积设备
27、加热装置及化学气相沉积设备
28、一种化学气相沉积炉充气结构
29、在衬底上沉积多层材料层的方法及化学气相沉积设备
30、喷淋头及化学气相沉积设备
31、一种化学气相沉积设备及其托盘
32、喷淋头及化学气相沉积设备
33、化学气相沉积设备
34、制备太阳能电池的电热丝辅助化学气相沉积装置
35、用于执行等离子体化学气相沉积工艺的设备
36、化学气相沉积设备及其用于该设备的承载机构
37、用于执行等离子体化学气相沉积过程的装置
38、SnO2纳米锥阵列的低温化学气相沉积制备方法
39、SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法
40、减少反应腔内杂质颗粒的方法和化学气相沉积设备
41、化学气相沉积设备的*辐射测温校准装置
42、化学气相沉积设备的*辐射测温校准装置
43、一种用于制备石墨烯薄膜的化学气相沉积装置
44、用于光辅助金属有机物化学气相沉积的气体喷淋头装置
45、一种金属有机物化学气相沉积装置
46、金属有机物化学气相沉积设备喷淋盘的清洁装置
47、金属有机物化学气相沉积设备石墨盘转移装置
48、金属有机物化学气相沉积设备的载片盘
49、金属有机物化学气相沉积设备及用于其中的隔离装置
50、供气装置及应用该装置的化学气相沉积装置
51、易于清洗压力调节阀的化学气相沉积设备
52、燃烧化学气相沉积装置及装饰品的制造方法
53、用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置
54、化学气相沉积维修设备
55、锂离子电池材料的连续式真空化学气相沉积设备
56、锂离子电池材料的连续式化学气相沉积设备
57、一种立式化学气相沉积装置
58、用于平板显示器的化学气相沉积装置
59、双通道均化低压化学气相沉积系统
61、化学气相沉积设备
62、化学气相沉积设备
63、化学气相沉积设备
64、化学气相沉积设备
65、一种减少化学气相沉积过程中杂质沉积的装置及方法
66、用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备
67、用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法
68、一种双辉化学气相沉积装置
69、异质结太阳能电池等离子增强化学气相沉积系统组态
70、一种用于异质结太阳能电池等离子化学气相沉积系统
71、化学气相沉积方法及利用其制造发光器件的方法
72、一种用于化学气相沉积处理的悬挂装置
73、一种钨化学气相沉积系统的清洗方法
74、一种纳米晶量子点敏化晶硅电池片的化学气相沉积制备方法
75、一种运动磁场辅助增强化学气相沉积方法及装置
76、一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备
77、一种连续制备二维纳米薄膜的化学气相沉积设备
78、化学气相沉积的气体预热系统
79、用于化学气相沉积工艺的喷淋头和改善工艺均匀性的方法
80、用于化学气相沉积工艺的喷淋头
81、一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法
82、一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法
83、真空感应化学气相沉积炉测温热电偶的转接器
84、化学气相沉积炉用尾气处理装置
85、控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法
86、一种化学气相沉积炉进气分布装置
87、用于化学气相沉积工艺的石墨盘
88、化学气相沉积机台
89、一种化学气相沉积包覆微纳米金属粉的方法
90、一种化学气相沉积炉用沉积室
91、一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体结构
92、一种适用于等离子体加强化学气相沉积工艺设备的一体化真空腔体结构
93、化学气相沉积炉气体预热装置
94、一种化学气相沉积制备钨的方法及其装置
95、化学气相沉积装置
96、金属有机化合物化学气相沉积加热器
97、化学气相沉积设备的反应腔室
98、用于化学气相沉积工艺的喷淋头
99、用于化学气相沉积工艺的喷淋头
100、化学气相沉积设备的反应腔室
101、一种化学气相沉积炉
102、一种化学气相沉积炉
103、保形性、应力和化学气相沉积层成分独立可变的甚低温化学气相沉积工艺
104、保形性、应力和化学气相沉积层成分独立可变的甚低温化学气相沉积工艺
105、一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法
106、一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备
107、一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备
108、一种能实现上、下进气切换的化学气相沉积炉
109、一种能实现上、下进气切换的化学气相沉积炉及其应用
110、薄膜的热处理方法及热处理装置、化学气相沉积装置
111、用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头
112、化学气相沉积设备
113、喷嘴设备和化学气相沉积反应器
114、喷嘴设备和化学气相沉积反应器
115、基座、化学气相沉积设备和基板加热方法
116、下电极组件及具有其的化学气相沉积设备
117、有机金属化学气相沉积机台
118、用于超长碳纳米管的化学气相沉积的扩大反应器
119、真空化学气相沉积装料盒
121、一种气相沉积用多层制品支架及化学气相沉积反应室
122、一种气相沉积用多层制品支架及化学气相沉积反应室
123、一种用于化学气相沉积的储气罐水浴加热装置
124、用于金属有机化合物化学气相沉积设备的喷淋装置
125、一种化学气相沉积过程的三维模拟方法
126、基座和包括其的化学气相沉积设备
127、化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置
128、一种用聚苯乙烯固态碳源低温化学气相沉积生长大面积层数可控石墨烯的方法
129、一种化学气相沉积炉预热装置
130、氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积反应室
131、一种化学气相沉积尾气处理装置
132、晶片承接设备和常压化学气相沉积装置
133、化学气相沉积炉
134、电阻化学气相沉积炉引电极密封装置
135、化学气相沉积炉用预热装置
136、快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法
137、用于等离子体化学气相沉积装置的控制系统
138、一种化学气相沉积制备ZnO纳米结构的方法
139、化学气相沉积装置
140、化学气相沉积装置
141、化学气相沉积装置
142、化学气相沉积装置
143、金属有机化合物化学气相沉积装置及其气体输送方法
144、化学气相沉积装置
145、用于化学气相沉积机台的真空泵的排气管及相应的真空泵
146、用于化学气相沉积的装置
147、化学气相沉积设备中用于精确控制反应物流量的气路装置
148、通过化学气相沉积生产碳纳米结构和网状结构
149、双波纹管结构的化学气相沉积设备
150、化学气相沉积SiCC梯度表面涂层提高石墨电极抗氧化性的方法
151、化学气相沉积装置
152、使用分子氟的化学气相沉积腔室清洁
153、基座及具有该基座的用于化学气相沉积的设备
154、非晶硅薄膜化学气相沉积系统
155、大容积等离子化学气相沉积反应腔的抽真空系统
156、非晶硅薄膜化学气相沉积吹扫装置
157、化学气相沉积设备及使用其形成半导体外延薄膜的方法
158、一种用于化学气相沉积工艺的反应器
159、用于化学气相沉积系统的基板加热基座
160、一种金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构
161、等离子辅助化学气相沉积设备
162、等离子辅助化学气相沉积设备
163、化学气相沉积反应设备
164、一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的化学气相沉积设备
165、一种基于化学气相沉积的高温原子透析制备石墨烯的方法
166、一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法
167、晶圆承载盘与化学气相沉积机台
168、线性批量化学气相沉积系统
169、用于化学气相沉积的供气管和反应装置
170、等离子体辅助式化学气相沉积装置
171、等离子体辅助式化学气相沉积装置
172、一种化学气相沉积炉
173、化学气相沉积炉
174、反应腔及具有其的化学气相沉积设备
175、托盘及具有其的化学气相沉积设备
176、采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法
177、利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法
178、基座以及包括该基座的化学气相沉积装置
179、化学气相沉积反应设备
180、用于化学气相沉积设备的射频电源连接机构
181、一种化学气相沉积炉用反应室
182、一种化学气相沉积炉用反应室
183、通过*基成分化学气相沉积的共形层
